本报记者秦枭北京报道

    先前，受制造商与内存供应商库存累积以及需求疲软影响，存储市场陷入严重衰退。自2021年第四季度开始，DRAM产品价格呈现连续八个季度的下滑，多数制程与产能受到下游需求的拖累，已经减产半年之久，导致供需平衡被打破。然而，随着厂家去库存的完成，供应商正逐步重新掌控议价权。

    近期，包括海外存储厂商三星、SK海力士、美光，以及国内企业江波龙、佰维存储、兆易创新等在内的存储厂商纷纷发布最新业绩预告。尽管整体业绩仍呈下滑趋势，但市场已显现出一丝回暖迹象。

    多位业内人士在接受《中国经营报》记者采访时表示，鉴于国际存储原厂实施减产及削减资本开支等措施，成效显著。此外，得益于单位成本降低，终端消费需求得以提振，特别是手机、个人电脑等主要存储应用市场逐步回暖。因此，存储行业开始摆脱下行周期，市场需求逐步复苏，主流存储器价格持续攀升。

    复苏在即

    存储芯片涨价消息不断，各存储厂商也捷报频频。

    从2022年年初开始，受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片价格不断下跌，市场进入了下行周期。

    Gartner报告显示，2023年全球存储器市场规模下降了37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域。国内外存储产业也因此承受巨大的经营压力，龙头企业如三星存储、海力士、美光等均出现明显亏损。然而，曾经历持续下跌的存储芯片价格已在2023年第四季度出现显著上涨。据知名行业咨询机构CFM关于闪存市场的数据，自2023年10月以来，现货市场NAND Flash（闪存）价格指数已累计上涨40%。

    不仅如此，据中国台湾《电子时报》报道，近期，存储芯片领域两大巨头三星与美光宣布，计划在2024年第一季度将DRAM芯片价格上调15%—20%，该政策从今年1月份开始生效。部分厂商已收到三星的涨价通知。此外，“存储三巨头”之一的SK海力士已于去年10月公布涨价计划，预计将其供应给厂商客户的DRAM和NAND Flash芯片合约价上调10%—20%。其中，NAND Flash芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点，短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。

    存储芯片涨价消息不断，各存储厂商也捷报频频。日前，三星电子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）财报，该季营收67.78万亿韩元，环比增长0.6%，同比下降3.8%。其中，存储业务营收15.71万亿韩元，环比增长49%，同比增长29%。

    SK海力士2023财年第四季度收入为11.3055万亿韩元，营业利润为0.3460万亿韩元，成功实现扭亏为盈。

    美光的亏损也进一步收窄，其公布的截至2023年11月30日的2024财年第一财季财报显示，该季美光营收47.3亿美元，同比增长15.6%，环比上升17.86%。第一财季营业亏损9.55亿美元，较上年同期收窄20.9%。

    国内厂商方面，佰维存储（688525.SH）近日发布了2023年年度业绩预告，预计公司2023年度实现营业收入35亿—37亿元，同比增长20%—22%。其中，第四季度公司实现营收14亿—16亿元，同比增长超过80%，环比增长超过50%。

    中信证券研报表示，从周期角度来看，行业正进入上行周期，短期内，在2024年第一季度，主流存储价格涨幅有望延续，利基存储价格相对稳定；预计全年主流存储价格延续上涨趋势，后续带动利基存储价格上行；成长角度，AI云端终端渗透率提升带动存力升级，释放创新及需求新动力。

    对此，轩睿基金总经理盖宏指出，去年年底存储市场的上涨是由于厂商的主观调控，并非源于需求复苏，各存储原厂在过去一年里实施的减产策略直接导致了DRAM和NAND价格在2023年第四季度止跌回升。减产虽然可以在短期内缓解库存压力，提高产品价格，但从长远来看，并不能从根本上解决问题。只有下游需求得到有效提升，供需关系实现平衡，存储原厂才能真正走出困境。

    然而，在半导体行业分析师王志伟看来，减产行为其实是原厂在面临市场竞争压力时的无奈抉择。存储原厂在追求业绩反转的过程中，减产以及控制产能释放成为他们所能采取的最迅速的策略。然而，这其中的关键因素仍然在于下游需求。供需关系的转变并非易事，这需要整个市场共同努力，以期在激烈的市场竞争中找到平衡点。在当前的市场环境下，原厂所面临的压力空前巨大。为了生存和发展，他们不得不通过调整产能来应对市场的波动。

    押注HBM

    受市场需求推动，HBM领域的主要供应商，SK海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂正纷纷加大产能扩张力度。

    各制造商在致力于减产涨价的同时，也在HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）领域展开了竞争。HBM是一款新型的CPU/GPU内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此，HBM正逐渐成为存储行业巨头在市场下行周期中，实现业绩反转的关键力量。

    近期，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。美光科技CEO SanjayMehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。

    公开资料显示，HBM是一种新兴的标准DRAM解决方案，最初是由三星、AMD和SK海力士提出来的。HBM技术可实现高于256GBps的突破性带宽，同时降低功耗。它具有基于TSV和芯片堆叠技术的堆叠DRAM架构，核心DRAM芯片位于基础逻辑芯片之上。第一个HBM内存芯片由SK海力士于2013年生产，第一个使用HBM的产品是2015年的AMD Fiji GPU。

    王志伟表示，GPU对大规模并行计算的速率要求在持续提升，但计算过程本身需要算力、存力、运力三者同时匹配，通常存储的读取速度和计算的处理速度之间存在一定时间差，HBM就是为提高传输速率和存储容量应运而生的重要技术路线。

    显卡处理器（GPU）在大规模并行计算领域的性能需求不断攀升。然而，计算过程需兼顾算力、存力和运力三者之间的协同，存储器读取速度与计算处理速度之间往往存在一定的时间差。为了提升数据传输速度和存储容量，HBM应运而生，成为关键的技术发展路径。

    根据市场研究公司Yole Group于2月8日发布的数据，今年HBM芯片的平均售价是传统DRAM内存芯片的五倍。该机构还表示，受到生产扩张难度和需求激增的双重影响，2023年至2028年间，HBM供应的年复合增长率将达到45%，而考虑到扩产难度，HBM价格预计在相当长一段时间内将保持高位。市场研究公司Omnia称，HBM预计今年将占据DRAM市场的18%以上，高于去年的9%。

    受市场需求推动，HBM领域的主要供应商SK海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂正纷纷加大产能扩张力度。

    日前，三星透露，为争夺2024年的HBM市场，计划在今年第四季度之前，将HBM的最高产量提升至每月15万—17万件。此前，三星还投资105亿韩元收购了位于韩国天安市的三星显示工厂及设备，旨在扩大HBM产能。

    盖宏指出，尽管消费者需求仍然疲弱，但生成式人工智能市场的迅速扩张已导致对AI服务器内存需求的上升。因此，高性能产品如HBM3和DDR5的销售增长，有望为存储制造商带来新的增长机遇。