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2024年03月04日 星期一
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存储市场回暖 HBM成新宠

    存储行业开始摆脱下行周期,市场需求逐步复苏,主流存储器价格持续攀升。

    视觉中国/图

    本报记者秦枭北京报道

    先前,受制造商与内存供应商库存累积以及需求疲软影响,存储市场陷入严重衰退。自2021年第四季度开始,DRAM产品价格呈现连续八个季度的下滑,多数制程与产能受到下游需求的拖累,已经减产半年之久,导致供需平衡被打破。然而,随着厂家去库存的完成,供应商正逐步重新掌控议价权。

    近期,包括海外存储厂商三星、SK海力士、美光,以及国内企业江波龙、佰维存储、兆易创新等在内的存储厂商纷纷发布最新业绩预告。尽管整体业绩仍呈下滑趋势,但市场已显现出一丝回暖迹象。

    多位业内人士在接受《中国经营报》记者采访时表示,鉴于国际存储原厂实施减产及削减资本开支等措施,成效显著。此外,得益于单位成本降低,终端消费需求得以提振,特别是手机、个人电脑等主要存储应用市场逐步回暖。因此,存储行业开始摆脱下行周期,市场需求逐步复苏,主流存储器价格持续攀升。

    复苏在即

    存储芯片涨价消息不断,各存储厂商也捷报频频。

    从2022年年初开始,受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响,存储芯片价格不断下跌,市场进入了下行周期。

    Gartner报告显示,2023年全球存储器市场规模下降了37%,成为半导体市场中下降最大的细分领域。国内外存储产业也因此承受巨大的经营压力,龙头企业如三星存储、海力士、美光等均出现明显亏损。然而,曾经历持续下跌的存储芯片价格已在2023年第四季度出现显著上涨。据知名行业咨询机构CFM关于闪存市场的数据,自2023年10月以来,现货市场NAND Flash(闪存)价格指数已累计上涨40%。

    不仅如此,据中国台湾《电子时报》报道,近期,存储芯片领域两大巨头三星与美光宣布,计划在2024年第一季度将DRAM芯片价格上调15%—20%,该政策从今年1月份开始生效。部分厂商已收到三星的涨价通知。此外,“存储三巨头”之一的SK海力士已于去年10月公布涨价计划,预计将其供应给厂商客户的DRAM和NAND Flash芯片合约价上调10%—20%。其中,NAND Flash芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点,短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。

    存储芯片涨价消息不断,各存储厂商也捷报频频。日前,三星电子公布了2023年第四季度(截至2023年12月31日)财报,该季营收67.78万亿韩元,环比增长0.6%,同比下降3.8%。其中,存储业务营收15.71万亿韩元,环比增长49%,同比增长29%。

    SK海力士2023财年第四季度收入为11.3055万亿韩元,营业利润为0.3460万亿韩元,成功实现扭亏为盈。

    美光的亏损也进一步收窄,其公布的截至2023年11月30日的2024财年第一财季财报显示,该季美光营收47.3亿美元,同比增长15.6%,环比上升17.86%。第一财季营业亏损9.55亿美元,较上年同期收窄20.9%。

    国内厂商方面,佰维存储(688525.SH)近日发布了2023年年度业绩预告,预计公司2023年度实现营业收入35亿—37亿元,同比增长20%—22%。其中,第四季度公司实现营收14亿—16亿元,同比增长超过80%,环比增长超过50%。

    中信证券研报表示,从周期角度来看,行业正进入上行周期,短期内,在2024年第一季度,主流存储价格涨幅有望延续,利基存储价格相对稳定;预计全年主流存储价格延续上涨趋势,后续带动利基存储价格上行;成长角度,AI云端终端渗透率提升带动存力升级,释放创新及需求新动力。

    对此,轩睿基金总经理盖宏指出,去年年底存储市场的上涨是由于厂商的主观调控,并非源于需求复苏,各存储原厂在过去一年里实施的减产策略直接导致了DRAM和NAND价格在2023年第四季度止跌回升。减产虽然可以在短期内缓解库存压力,提高产品价格,但从长远来看,并不能从根本上解决问题。只有下游需求得到有效提升,供需关系实现平衡,存储原厂才能真正走出困境。

    然而,在半导体行业分析师王志伟看来,减产行为其实是原厂在面临市场竞争压力时的无奈抉择。存储原厂在追求业绩反转的过程中,减产以及控制产能释放成为他们所能采取的最迅速的策略。然而,这其中的关键因素仍然在于下游需求。供需关系的转变并非易事,这需要整个市场共同努力,以期在激烈的市场竞争中找到平衡点。在当前的市场环境下,原厂所面临的压力空前巨大。为了生存和发展,他们不得不通过调整产能来应对市场的波动。

    押注HBM

    受市场需求推动,HBM领域的主要供应商,SK海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂正纷纷加大产能扩张力度。

    各制造商在致力于减产涨价的同时,也在HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)领域展开了竞争。HBM是一款新型的CPU/GPU内存芯片,其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此,HBM正逐渐成为存储行业巨头在市场下行周期中,实现业绩反转的关键力量。

    近期,SK海力士副社长Kim Ki-tae表示,今年公司的HBM已经售罄,已开始为2025年做准备。美光科技CEO SanjayMehrotra也对外透露,美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。

    公开资料显示,HBM是一种新兴的标准DRAM解决方案,最初是由三星、AMD和SK海力士提出来的。HBM技术可实现高于256GBps的突破性带宽,同时降低功耗。它具有基于TSV和芯片堆叠技术的堆叠DRAM架构,核心DRAM芯片位于基础逻辑芯片之上。第一个HBM内存芯片由SK海力士于2013年生产,第一个使用HBM的产品是2015年的AMD Fiji GPU。

    王志伟表示,GPU对大规模并行计算的速率要求在持续提升,但计算过程本身需要算力、存力、运力三者同时匹配,通常存储的读取速度和计算的处理速度之间存在一定时间差,HBM就是为提高传输速率和存储容量应运而生的重要技术路线。

    显卡处理器(GPU)在大规模并行计算领域的性能需求不断攀升。然而,计算过程需兼顾算力、存力和运力三者之间的协同,存储器读取速度与计算处理速度之间往往存在一定的时间差。为了提升数据传输速度和存储容量,HBM应运而生,成为关键的技术发展路径。

    根据市场研究公司Yole Group于2月8日发布的数据,今年HBM芯片的平均售价是传统DRAM内存芯片的五倍。该机构还表示,受到生产扩张难度和需求激增的双重影响,2023年至2028年间,HBM供应的年复合增长率将达到45%,而考虑到扩产难度,HBM价格预计在相当长一段时间内将保持高位。市场研究公司Omnia称,HBM预计今年将占据DRAM市场的18%以上,高于去年的9%。

    受市场需求推动,HBM领域的主要供应商SK海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂正纷纷加大产能扩张力度。

    日前,三星透露,为争夺2024年的HBM市场,计划在今年第四季度之前,将HBM的最高产量提升至每月15万—17万件。此前,三星还投资105亿韩元收购了位于韩国天安市的三星显示工厂及设备,旨在扩大HBM产能。

    盖宏指出,尽管消费者需求仍然疲弱,但生成式人工智能市场的迅速扩张已导致对AI服务器内存需求的上升。因此,高性能产品如HBM3和DDR5的销售增长,有望为存储制造商带来新的增长机遇。

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